FS32K146HFT0MLQT NXP
متوفر
FS32K146HFT0MLQT NXP
• خصائص التشغيل
- نطاق الجهد: 2.7 فولت إلى 5.5 فولت
- نطاق درجة الحرارة المحيطة: -40 درجة مئوية إلى 105 درجة مئوية لوضع HSRUN ، -40 درجة مئوية إلى 150 درجة مئوية لوضع RUN
• أرم™ كورتكس-M4F / M0 + الأساسية ، وحدة المعالجة المركزية 32 بت
- يدعم تردد يصل إلى 112 ميجاهرتز (وضع HSRUN) مع 1.25 Dhrystone MIPS لكل ميجاهرتز
- Arm Core استنادا إلى بنية Armv7 و Thumb-2® ISA
- معالج الإشارات الرقمية المتكامل (DSP)
- وحدة تحكم المقاطعة المتداخلة المتداخلة القابلة للتكوين (NVIC)
- وحدة الفاصلة العائمة أحادية الدقة (FPU)
• واجهات الساعة
- مذبذب خارجي سريع (SOSC) بسرعة 4-40 ميجاهرتز مع ساعة إدخال مربعة خارجية تصل إلى 50 ميجاهرتز DC في وضع الساعة الخارجية
- مذبذب RC داخلي سريع 48 ميجاهرتز (FIRC)
- مذبذب RC داخلي بطيء 8 ميجاهرتز (SIRC)
- مذبذب منخفض الطاقة 128 كيلو هرتز (LPO)
- حتى 112 ميجاهرتز (HSRUN) حلقة القفل المرحلي للنظام (SPLL)
- ما يصل إلى 20 ميجاهرتز TCLK و 25 ميجاهرتز SWD_CLK
- 32 كيلو هرتز عداد الوقت الحقيقي ساعة خارجية (RTC_CLKIN)
• إدارة الطاقة
- قلب Arm Cortex-M4F / M0 + منخفض الطاقة مع كفاءة ممتازة في استخدام الطاقة
- وحدة تحكم إدارة الطاقة (PMC) مع أوضاع طاقة متعددة: HSRUN و Run و Stop و VLPR و VLPS.
ملاحظة: سيؤدي CSEc (الأمان) أو عمليات الكتابة / المسح EEPROM إلى تشغيل علامات الخطأ في وضع HSRUN (112 ميجاهرتز) لأنه لا يسمح بتنفيذ حالة الاستخدام هذه في وقت واحد. سيحتاج الجهاز إلى التبديل إلى وضع RUN (80 ميجاهرتز) لتنفيذ CSEc (الأمان) أو عمليات الكتابة / المسح EEPROM.
- بوابات الساعة والتشغيل منخفض الطاقة مدعومان على أجهزة طرفية محددة.
• واجهات الذاكرة والذاكرة
- ما يصل إلى 2 ميغابايت من ذاكرة فلاش البرنامج مع ECC
- 64 كيلوبايت FlexNVM لذاكرة فلاش البيانات مع محاكاة ECC و EEPROM.
ملاحظة: ستؤدي عمليات الكتابة / المسح CSEc (الأمان) أو EEPROM إلى تشغيل علامات الخطأ في وضع HSRUN (112 ميجاهرتز) لأنه لا يسمح بتنفيذ حالة الاستخدام هذه في وقت واحد. سيحتاج الجهاز إلى التبديل إلى وضع RUN (80 ميجاهرتز) لتنفيذ CSEc (الأمان) أو عمليات الكتابة / المسح EEPROM.
- ما يصل إلى 256 كيلوبايت SRAM مع ECC
- ما يصل إلى 4 كيلوبايت من FlexRAM للاستخدام كمضاهاة SRAM أو EEPROM
- ذاكرة تخزين مؤقت للرمز تصل إلى 4 كيلوبايت لتقليل تأثير زمن الوصول إلى الذاكرة على الأداء
- QuadSPI مع دعم HyperBus™
• تناظرية مختلطة الإشارة
- ما يصل إلى محولين تناظريين إلى رقميين (ADC) 12 بت مع ما يصل إلى 32 مدخلا تناظريا لكل وحدة
- مقارنة تناظرية واحدة (CMP) مع محول رقمي إلى تناظري داخلي 8 بت (DAC)
• وظيفة التصحيح
- يجمع منفذ تصحيح الأسلاك التسلسلية JTAG (SWJ-DP)
- تصحيح نقطة المراقبة والتتبع (DWT)
- ماكروسيل تتبع الأجهزة (ITM)
- وحدة واجهة منفذ الاختبار (TPIU)
- وحدة تصحيح الفلاش ونقطة التوقف (FPB)
• واجهة الإنسان والآلة (HMI)
- ما يصل إلى 156 دبابيس GPIO مع وظيفة المقاطعة
- المقاطعة غير القابلة للإخفاء (NMI)
• خصائص التشغيل
- نطاق الجهد: 2.7 فولت إلى 5.5 فولت
- نطاق درجة الحرارة المحيطة: -40 درجة مئوية إلى 105 درجة مئوية لوضع HSRUN ، -40 درجة مئوية إلى 150 درجة مئوية لوضع RUN
• أرم™ كورتكس-M4F / M0 + الأساسية ، وحدة المعالجة المركزية 32 بت
- يدعم تردد يصل إلى 112 ميجاهرتز (وضع HSRUN) مع 1.25 Dhrystone MIPS لكل ميجاهرتز
- Arm Core استنادا إلى بنية Armv7 و Thumb-2® ISA
- معالج الإشارات الرقمية المتكامل (DSP)
- وحدة تحكم المقاطعة المتداخلة المتداخلة القابلة للتكوين (NVIC)
- وحدة الفاصلة العائمة أحادية الدقة (FPU)
• واجهات الساعة
- مذبذب خارجي سريع (SOSC) بسرعة 4-40 ميجاهرتز مع ساعة إدخال مربعة خارجية تصل إلى 50 ميجاهرتز DC في وضع الساعة الخارجية
- مذبذب RC داخلي سريع 48 ميجاهرتز (FIRC)
- مذبذب RC داخلي بطيء 8 ميجاهرتز (SIRC)
- مذبذب منخفض الطاقة 128 كيلو هرتز (LPO)
- حتى 112 ميجاهرتز (HSRUN) حلقة القفل المرحلي للنظام (SPLL)
- ما يصل إلى 20 ميجاهرتز TCLK و 25 ميجاهرتز SWD_CLK
- 32 كيلو هرتز عداد الوقت الحقيقي ساعة خارجية (RTC_CLKIN)
• إدارة الطاقة
- قلب Arm Cortex-M4F / M0 + منخفض الطاقة مع كفاءة ممتازة في استخدام الطاقة
- وحدة تحكم إدارة الطاقة (PMC) مع أوضاع طاقة متعددة: HSRUN و Run و Stop و VLPR و VLPS.
ملاحظة: سيؤدي CSEc (الأمان) أو عمليات الكتابة / المسح EEPROM إلى تشغيل علامات الخطأ في وضع HSRUN (112 ميجاهرتز) لأنه لا يسمح بتنفيذ حالة الاستخدام هذه في وقت واحد. سيحتاج الجهاز إلى التبديل إلى وضع RUN (80 ميجاهرتز) لتنفيذ CSEc (الأمان) أو عمليات الكتابة / المسح EEPROM.
- بوابات الساعة والتشغيل منخفض الطاقة مدعومان على أجهزة طرفية محددة.
• واجهات الذاكرة والذاكرة
- ما يصل إلى 2 ميغابايت من ذاكرة فلاش البرنامج مع ECC
- 64 كيلوبايت FlexNVM لذاكرة فلاش البيانات مع محاكاة ECC و EEPROM.
ملاحظة: ستؤدي عمليات الكتابة / المسح CSEc (الأمان) أو EEPROM إلى تشغيل علامات الخطأ في وضع HSRUN (112 ميجاهرتز) لأنه لا يسمح بتنفيذ حالة الاستخدام هذه في وقت واحد. سيحتاج الجهاز إلى التبديل إلى وضع RUN (80 ميجاهرتز) لتنفيذ CSEc (الأمان) أو عمليات الكتابة / المسح EEPROM.
- ما يصل إلى 256 كيلوبايت SRAM مع ECC
- ما يصل إلى 4 كيلوبايت من FlexRAM للاستخدام كمضاهاة SRAM أو EEPROM
- ذاكرة تخزين مؤقت للرمز تصل إلى 4 كيلوبايت لتقليل تأثير زمن الوصول إلى الذاكرة على الأداء
- QuadSPI مع دعم HyperBus™
• تناظرية مختلطة الإشارة
- ما يصل إلى محولين تناظريين إلى رقميين (ADC) 12 بت مع ما يصل إلى 32 مدخلا تناظريا لكل وحدة
- مقارنة تناظرية واحدة (CMP) مع محول رقمي إلى تناظري داخلي 8 بت (DAC)
• وظيفة التصحيح
- يجمع منفذ تصحيح الأسلاك التسلسلية JTAG (SWJ-DP)
- تصحيح نقطة المراقبة والتتبع (DWT)
- ماكروسيل تتبع الأجهزة (ITM)
- وحدة واجهة منفذ الاختبار (TPIU)
- وحدة تصحيح الفلاش ونقطة التوقف (FPB)
• واجهة الإنسان والآلة (HMI)
- ما يصل إلى 156 دبابيس GPIO مع وظيفة المقاطعة
- المقاطعة غير القابلة للإخفاء (NMI)
Veuillez vous assurer que vos coordonnées sont correctes. Votre message sera envoyé directement au(x) destinataire(s) et ne sera pas affiché publiquement. Nous ne distribuerons ni ne vendrons jamais vos informations personnelles à des tiers sans votre autorisation expresse.
