IMBG65R083M1H Infineon

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Detalhes do produto
Inquérito
IMBG65R083M1H INFINEON

•Comportamento de comutação otimizado em correntes mais altas
•Comutaçãorobustode corpo rápidode diodocombaixoQf
-Superiorconfiabilidade de óxido de porta
• Tj, max = 175 ° C e excelente comportamento térmico
•LowerRDS(on)epulsecurrentdependencyontemperature
•Aumento da capacidade de avalanche
• Compatível com drivers padrão (tensão de condução recomendada: 0V-18V)
•A Kelvinsource proporciona perdas de comutação até 4 vezes mais baixas
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