NCP1380DDR2G في
| متوفر |
NCP1380DDR2G في
• عملية التحكم في وضع ذروة التيار شبه الرنين
• عملية تبديل الوادي مع الوادي - القفل للضوضاء - العملية المناعية
• طي التردد عند الحمل الخفيف لتحسين كفاءة الحمل الخفيف
• حماية كهربائية قابلة للتعديل
• الاسترداد التلقائي أو حماية الدائرة القصيرة للمخرج الداخلي المغلق
• مؤقت داخلي ثابت 80 مللي ثانية لحماية ماس كهربائى
• حماية مشتركة من الجهد الزائد ودرجات الحرارة الزائدة (إصدارات A و B)
• حماية مشتركة من الجهد الزائد والبني (إصدارات C و D)
• +500 مللي أمبير/−800 مللي أمبير ذروة المصدر/قدرة الحوض
• إغلاق درجة الحرارة الداخلية
• اتصال Optocoupler المباشر
• تشغيل نطاق VCC ممتد يصل إلى 28 فولت
• طاقة احتياطية منخفضة للغاية بدون تحميل
• حزمة SO−8
• هذه الأجهزة خالية من الرصاص ومتوافقة مع RoHS
• عملية التحكم في وضع ذروة التيار شبه الرنين
• عملية تبديل الوادي مع الوادي - القفل للضوضاء - العملية المناعية
• طي التردد عند الحمل الخفيف لتحسين كفاءة الحمل الخفيف
• حماية كهربائية قابلة للتعديل
• الاسترداد التلقائي أو حماية الدائرة القصيرة للمخرج الداخلي المغلق
• مؤقت داخلي ثابت 80 مللي ثانية لحماية ماس كهربائى
• حماية مشتركة من الجهد الزائد ودرجات الحرارة الزائدة (إصدارات A و B)
• حماية مشتركة من الجهد الزائد والبني (إصدارات C و D)
• +500 مللي أمبير/−800 مللي أمبير ذروة المصدر/قدرة الحوض
• إغلاق درجة الحرارة الداخلية
• اتصال Optocoupler المباشر
• تشغيل نطاق VCC ممتد يصل إلى 28 فولت
• طاقة احتياطية منخفضة للغاية بدون تحميل
• حزمة SO−8
• هذه الأجهزة خالية من الرصاص ومتوافقة مع RoHS
يرجى التأكد من صحة معلومات الاتصال الخاصة بك. الخاص بك الرسالة سوف يتم إرسالها مباشرة إلى المستلم (المستلمين) ولن يتم إرسالها يتم عرضها للجمهور. لن نقوم أبدا بتوزيع أو بيع الخاص بك شخصي المعلومات المقدمة إلى أطراف ثالثة بدون إذنك الصريح.
