وحدة المعالج المركزية HCS08 8 بت (وحدة المعالجة المركزية)
• وحدة المعالجة المركزية HCS08 40 ميجاهرتز (ناقل 20 ميجاهرتز)
• مجموعة تعليمات HC08 مع تعليمات BGND المضافة
• دعم ما يصل إلى 32 مصدرا للمقاطعة / إعادة الضبط

ذاكرة على الرقاقة
• قراءة / برمجة / محو FLASH على جهد التشغيل الكامل ودرجة الحرارة
• ذاكرة EEPROM قابلة للبرمجة داخل الدائرة ؛ قطاع محو الصفحة الواحدة أو 4 بايت من الصفحة المزدوجة ؛ البرمجة والمسح أثناء تنفيذ FLASH ؛ محو الإجهاض
• ذاكرة الوصول العشوائي (RAM)

أوضاع توفير الطاقة
• وضعان منخفضان جدا لإيقاف الطاقة
• تقليل وضع انتظار الطاقة
• مقاطعة منخفضة جدا في الوقت الحقيقي للاستخدام في التشغيل والانتظار والتوقف

خيارات مصدر الساعة
• المذبذب (XOSC) - مذبذب بيرس للتحكم في الحلقة. نطاق مرنان كريستالي أو سيراميك من 31.25 كيلو هرتز إلى 38.4 كيلو هرتز أو 1 ميجاهرتز إلى 16 ميجاهرتز
• مولد الساعة متعدد الأغراض (MCG) - أوضاع PLL و FLL ؛ ساعة مرجعية مع تقليم غير متطاير (دقة 0.2٪ ، تحمل 1.5٪ لدرجة الحرارة مع تعويض درجة الحرارة الداخلية) ؛ مرجع خارجي مع خيارات المذبذب/الرنان

حماية النظام
• إعادة تعيين كمبيوتر المراقبة الذي يعمل بشكل صحيح (COP) مع خيار التشغيل من النسخ الاحتياطي المخصص لمصدر الساعة الداخلي 1 كيلو هرتز أو ساعة الحافلة. مع تشغيل الإطارات الاختياري
• الكشف عن الجهد المنخفض مع إعادة الضبط أو المقاطعة ؛ نقاط الرحلة القابلة للتحديد
• الكشف عن رمز التشغيل غير القانوني مع إعادة التعيين
• الكشف غير القانوني عن العنوان مع إعادة التعيين
• حماية كتلة FLASH و EEPROM
• حماية فقدان القفل

دعم التنمية
• واجهة تصحيح أخطاء خلفية أحادية السلك
• مضاهاة داخل الدائرة (ICE) على الرقاقة مع التقاط الناقل في الوقت الفعلي

الإدخال / الإخراج
• ما يصل إلى 87 دبوس إدخال / إخراج للأغراض العامة (I / O) و 1 دبوس إدخال فقط
• ما يصل إلى 32 دبوس مقاطعة مع قطبية قابلة للتحديد على كل دبوس
• التباطؤ وجهاز السحب القابل للتكوين على جميع دبابيس الإدخال.
• معدل دوران قابل للتكوين وقوة محرك على جميع دبابيس الإخراج.

خيارات الحزمة
• عبوة مسطحة رباعية منخفضة المستوى ذات 100 سنون (LQFP) - 14 × 14 مم
• عبوة مسطحة رباعية منخفضة الشكل ذات 64 سنا (LQFP) - 10 × 10 مم
• عبوة مسطحة رباعية منخفضة الحجم ذات 48 سنا (LQFP) - 7 × 7 مم